V predchádzajúcej téme sme si ukázali jeden zo spôsobov výpočtu súradníc kľudovího pracovného bodu P₀.  Poloha kľudového pracovného bodu P₀ nie je v skutočnosti stála. Nemení sa len vtedy, ak je teplota okolia zosilňovača konštantná a rovnaká ako teplota, pri ktorej sa merali charakteristiky tranzistora. Ak sa zmení teplota, táto zmena vždy vyvolá zmenu kolektorového prúdu o DI_Kt  a kľudový pracovný bod P₀ sa posunie po statickej zaťažovacej priamke. Kolísanie polohy pracovného bodu P₀  spôsobuje v prvom rade stratu zosilňovacích vlastností, na druhej strane môže spôsobiť prekročenie prípustnej kolektorovej straty a zničenie tranzistora. Preto musíme zabezpečiť obmedzenie vplyvu teplotných zmien, to je stabilizáciu pracovného bodu P₀  tranzistora. Obvody, ktoré zabezpečujú žiadanú stálosť súradníc kľudového pracovného bodu P₀ , sú stabilizačné obvody. Tieto obvody môžu byť realizované rôznymi spôsobmi, ale vždy ide o zápornú spätnú väzbu a to buď prúdovú, napäťovú alebo ich kombináciu. My si činnosť stabilizačného obvodu vysvetlíme na schéme tranzistorového zosilňovača, v ktorom je zavedená záporná prúdová spätná väzba pomocou emitorového odporu R_E.  Situácia je znázornená na obrázku 1.  Na obrázku 2. sú zakreslené charakteristiky tranzistora s príslušnými zmenami obvodových veličín, súradníc pracovného bodu P₀,  spôsobené vplyvom teploty, ale aj účinku stabilizačného rezistora  R_E.

Obr. 1.  Zosilňovač so stabilizačným rezistorom RE (Farby obvodových veličín tranzistora sa zhodujú so súradnicami P0"  po zavedení prúdovevej zápornej SV)		Obr. 2.  Graf znazorňujúci zmeny obvodových veličín a polohy pracovného bodu P0  pri teplotnej stabilizácii

Pre potreby vysvetlenia procesu stabilizácie budeme predpokladať, že napätie U_B  bude nemenné, teda konštantné. Zároveň bude za každých okolností platiť, že :

Pri stálej teplote okolia má pracovný bod  P₀  súradnice :       P₀ Î ( U_KE , I_K , I_B , U_BE ).

       Pri zvýšení teploty okolia sa zvýši počet minoritných nosičov náboja uvoľnených zo základného polovodičového materiálu (vlastná vodivosť) a z prímesí spôsobujúcich opačný typ vodivosti ako má príslušná elektróda (dôsledok nedokonalého vyčistenia základného materiálu), čím sa zvýši prúd v kolektorovej⁽¹⁾  a emitorovej vetve tranzistora, pričom sa veľkosť vstupného signálu nezmenila (ním sa ovplyvňuje veľkosť nevlastnej vodivosti a tá sa teplotou nemení.)  Kolektorový prúd tranzistora sa zvýši z  I_K  na  I_K´, ktorý sa dá vyjadriť rovnicou :

pričom  DI_Kt  je prírastok kolektorového prúdu vplyvom teploty  t.

Aj vo vetve emitora platí, že vplyvom teploty sa emitorový prúd zvýši z  I_E  na  I_E´ a dá sa vyjadriť rovnicou:

       Vplyvom zápornej spätnej väzby sa na rezistore  R_E  zvýši napätie z  U_RE  na  U_RE´.  Z rovnice (1) vidieť, že ak narastie U_RE  musí klesnúť  U_BE  pri konštantnom  U_B. Poklesom  U_BE  na hodnotu  U_BE"  klesne cez vstupnú charakteristiku tranzistora prúd  I_B  na hodnotu  I_B"  a cez prevodovú charakteristiku tranzistora  T  klesne kolektorový prúd z pôvodnej hodnoty  I_K na hodnotu  I_K". Kolektorový prúd I_K" má takú hodnotu, že platí :

Tým sa posunie pracovný bod  P₀´  na statickej zaťažovacej priamke tranzistora  T  do bodu  P₀" , ktorý zodpovedá polohou pôvodnému pracovnému bodu  P₀.  Pracovný bod  P₀"  má však iné vstupné súradnice a to :

       Je prirodzené, že v reálnom obvode sa nemôže pracovný bod  P₀"  úplne presne umiestniť na zaťažovacej priamke do polohy pôvodného pracovného bodu  P₀.  Je to preto, lebo by zanikla akákoľvek regulačná odchýlka a stabilizačný obvod by nemal čo stabilizovať (odstraňovať.) Samozrejme, súradnice výstupných obvodových veličín nebudú mať úplne rovnaké hodnoty ako pôvodné  U_KE  a  I_K.

       Na stabilizáciu pracovného bodu  P₀  sa používajú aj iné zapojenia obvodových prvkov v tranzistorových zosilňovačoch. Dve zapojenia sú znázornené na obrázkoch 3. a 4.

Obr. 3.  Napäťová záporná spätná väzba	Obr. 4.  Mostíkové zapojenie prúdovej zápornej spätnej väzby

        Napäťová záporná spätná väzba je založená na skutočnosti, že pri zvýšení kolektorového prúdu  I_K  na hodnotu I_K´  z dôvodu zvýšenia teploty tranzistora, sa napätie  U_KE  zníži na hodnotu U_KE´ , čím sa zníži aj bázový prúd  I_B  na hodnotu  I_B''  a cez vstupnú charakteristiku tranzistora sa zmení napätie  U_BE  na hodnotu  U_BE'' , čo má za následok privretie tranzistora. Platí všeobecná rovnica :

Privretie tranzistora spôsobí zníženie kolektorového prúdu z hodnoty  I_K´  na hodnotu  I_K  a nárast kolektorového napätia  U_KE´  na pôvodnú hodnotu  U_KE . Aj tu platí, že výsledný pracovný bod  P₀''  má súradnice  U_KE , I_K , I_B'', U_BE''.

       Mostíkové zapojenie prúdovej zápornej spätnej väzby sa vyznačuje vyššou stabilitou napätia  U_B medzi bázou tranzistora a elektrickou zemou. Je to zabezpečené odporovým deličom  R_B1 , R_B2 , ktorý sa volí tak, aby ním tiekol asi 10-krát väčší prúd ako vteká do bázy tranzistora  T.

       Prúd minoritných nosičov sa v technickej praxi označuje pojmom  "zvyškový prúd tranzistora"  a pre zapojenie SB sa označuje prúdom I_KB0  a pre zapojenie SE prúdom  I_KE0 , pričom platí :

Zároveň pre prúd I_KB0  platí, že pri vzraste teploty o 1° C  vzrastie prúd I_KB0  asi o 7%, t.j. pri zvýšení teploty o 10° C  vzrastie prúd I_KB0  na skoro dvojnásobok. Jednotky sú  nA/°C až  mA/°C podľa typu tranzistora a jeho zapojenia.

       Tiež pre napätie U_BE  platí, že nárastom teploty sa toto napätie znižuje lineárne a to v značne veľkom teplotnom rozsahu PN priechodu B-E . Teplotný súčiniteľ napätia U_BE  je priemerne -2,2 mV/°C  a to tak pre germaniové ako aj kremíkové tranzistory. Je však potrebné poznamenať, že zmena napätia U_BE  vplyvom teploty ovplyvňuje v konečnom dôsledku zmenu kolektorvého prúdu I_K  menej ako zmena zvyškového prúdu I_KB0 , poprípade I_KE0,  vyvolaná tou istou zmenou teploty tranzistora. Lineárna zmena napätia U_BE  sa využíva v praxi pri konštrukcii elektronických teplomerov.